Povesti interesante despre IPRS-Baneasa, povestite de d-na Staicu Liliana

In urma cu ceva timp, am avut o placere deosebita ca sa pot sa stau de vorba cu 6 persoane: dl. Radu Cotet, d-na Magda Gheorghita, dl. Bodea Danut, d-na Staicu Liliana, dl. Popa Eugen si dl. Maris Badescu, toti fosti salariati la Intreprinderea de Piese Radio si Semiconductori – Baneasa, sau mai pe scurt IPRS-Baneasa. Interviul cu dl. Radu Cotet l-am prezentat in urma cu putin timp. De data aceasta va prezint interviul realizat cu d-na Staicu Liliana.

Nini: Ce facultate ati urmat?

D-na Staicu: Am urmat facultatea de chimie, sectia de chimie fizica - specializare termodinamica, din cadrul Universitatea Politehnica Bucuresti (1972 - 1976), medie de absolvire 9,87; an V specializare (1976 - 1977), medie de absolvire 10, azi Universitatea Bucuresti.

Nini: Ati urmat vreun curs postuniversitar?

D-na Staicu: Da, am urmat un curs postuniversitar ”Management of industrial area” in 1993.

Nini: Ceva specializari ati facut?

D-na Staicu: Am participat la urmatoarele specializari:

-1980 - Electroplating for electronic industry - S. G. Owen ltd - Anglia - depuneri chimice si electrochimice;

- 1981 - Diffusion line manager for single diffused dice - Solitron – SUA - fabricatie structuri hometaxiale, montaj tri pentru tranzistoare hometaxiale, fabricatie subansamble pentru tranzistoare hometaxiale;

- 1993 - Xray spectrophotometer - UPA - Germania determinari de grosimi de straturi metalice si nemetalice si de impuritati in straturile depuse, analize chimice pt solutiirealizate prin spectroscopie de raze X.  

Nini: Va rog sa-mi povestiti despre experienta d-voastra profesionala, dar mai intai v-as ruga sa-mi spuneti unde ati fost repartizata dupa terminarea facultatii?

D-na Staicu: In 1977 am fost angajata prin repartitie guvernamentala la intreprinderea Microelectronica Bucuresti, cu stagiul la I.P.R.S. Baneasa. La incheierea stagiaturii, am ramas la I.P.R.S. Baneasa.

Nini: In ce sectie ati ajuns?

D-na Staicu: De la inceput am lucrat in Sectia 2500 - tranzistoare si diode cu siliciu.

Nini: Ce sarcini aveati de indeplinit sau mai pe romaneste, cu ce va ocupati?

D-na Staicu: Inca de la inceput am fost in cadrul atelierului de fabricatie structuri ocupandu-ma rand pe rand de metalizari in vid si pasivari cu nitrura si oxizi dopati pentru structuri planare, de realizarea structurilor planare de diode cu siliciu, a structurilor de diode Schotky, a structurilor de tranzistoare BU 607, celule solare.

Nini: Specializarea din Statele Unite a adus ceva nou in viata d-voastra?

D-na Staicu: In anul 1980, in urma specializarii efectuate in SUA am participat la pornirea si omologarea fabricatiei de tranzistoare hometaxiale (2N3055, 2N3442, 2N3773 si 2N6259) cu licenta Solitron, ocupandu-ma  de difuzie, fotogravura cu fotorezist negativ, nichelare chimica, sortare structuri si in final de montaj triere pentru aceste produse noi, punand bazele unei noi linii de fabricatie, devnind mai tarziu sef atelier fabricatie structuri hometaxiale. Am pornit de la un spatiu, am gasit oamenii, au sosit utilajele, apoi i-am invatat pe operatori sa lucreze si am omologat produsele noi.

Nini: Dar dupa specializarea din Germania?

D-na Staicu: Cumpararea spectrofotometrului a fost pentru noi o necesitate generata de determinarea exacta a grosimi straturilor de aur depuse, de posibilitatea de a determina impuritatile din aceste straturi. Din 1993, in urma specializarii in spectrofotometrie de raze X, m-am ocupat si de utilizarea acestei metode pentru masurarea si studirea straturilor metalice si nemetalice depuse prin diverse metode.

Din 1998, am preluat si montajul tranzistoarelor de mica si medie si mare putere in metal, realizand in premiera o serie de tranzistoare (tranzistoare duale, de ultra inalta frecventa etc.) sau chiar circuite integrate (2N6118) in capsule metalice.

Nini: Ce functii ati ocupat?

D-na Staicu: In perioada 1981 - 1998 am fost sef atelier difuzie hometaxiale, iar 1998 - 2003 sef sectie montaj - tri 2500.                                                            

Nini: Ce colaborari in afara IPRS-ului ati avut?

D-na Staicu: In anul 2003 am colaborat cu Italromedica SRL pentru realizarea capsulelor de PH, pentru firma Medtronic SUA iar pentru o scurta perioada in anul 2004 m-am transferat aici.

In perioada martie 2004 - martie 2005 am lucrat la firma R&D associated laboratory - in domeniul cercetarii termoelementelor cu bismut-telur si a caracterizarii siliciului prin metode spectrale.                                                           

Nini: Ati mai revenit la IPRS?

D-na Staicu: Din martie 2005 m-am reangajat la Baneasa SA repornind fabricatia tranzistoarelor cu siliciu in cadrul sectiei 2300. In aceasta perioada sunt de mentionat mutarea si repornirea utilajelor in cladirea sectiei 2300, mutarea liniei de montaj tranzistoare, repornirea si stabilirea unui nou proces de aurire localizata, stabilirea si urmarirea unui proces de nichelare cu sulfamat pentru cage pentru firma Caralux, realizarea de noi tipuri de tranzistoare in capsule metalice. De curand am repornit fabricatia de structuri planare de diode Zener si a tranzistoarelor TUJ.

Nini: Ce a insemnat anul 2008 pentru d-voastra?

D-na Staicu: Din 1 august 2008 m-am transferat IMT Bucuresti in cadrul departamentului de tehnologie unde lucrez si in prezent.

Nini: Cu ce va ocupati in IMT Bucuresti?

D-na Staicu: In cadrul institutului am realizat structuri de diode picoamperice, structuri de TUJ si sunt cooptata la un proiect de celule solare realizate din straturi ultra subtiri. Am participat de asemene la realizarea celei de-a doua camere albe pentru CVD, la punerea in functiune a echipamentelor CVD in noua locatie. 

Nini: Ce experienta ati acumulat in cei 37 de ani de munca?

D-na Staicu: As vrea sa spun ca ceea ce am facut mi-a placut foarte mult si a fost pentru mine o adevarata provocare. Procese deosebite ca:

- fotogravura pentru trasee subtiri (1 micron) realizate cu ajutorul fotorezistilor negativi si pozitivi;

- corodari anizotrope, corodari meza la adancimi de peste 100 microni;

- procese de metalizare in vid ce cuprind straturi metalice multiple;

- procedee de pasivare a jonctiunilor cu oxid pirolitic, nitrura, oxizi dopati;

- procese de difuzie din surse lichide si solide pentru dispozitive planare, epibaza si hometaxiale;

- procese de metalizare prin reactii chimice - nichel chimic dopat cu fosfor si bor;

montaj pentru toata gama de tranzistoare in metal incluzand inalta frecventa, tranzistoare duale, tranzistoare de putere;

- acoperiri galvanice cu nichel si aur pentru capsulele de metal;

- spectrofotometrie de raze X - utilizata in scopul studierii contactului metal semiconductor dar si pentru determinarea impuritatilor din solide si lichide,

determinari pentru limitele admisibile ale poluantilor de mediu;

- carcterizarea defectelor prezente sau induse in siliciu prin dopari succesive;

termoelemente cu bismut telur;

- structuri de tranzistoare de putere hometaxiale, structuri de tranzistoare si diode planare, celule solare;

- metode de neutralizare substante nocive pentru mediu,

au constituit pentru mine provocari.

Nini: Pe langa experienta acumulata, in atatia ani de munca ati realizat inovatii?              

D-na Staicu: Alaturi de colegii de munca am realizat urmatoarele inovatii:

- 1986 - Procedeu de nichelare chimica a plachetelor de tranzistoare de putere, prin masca de oxid - 1291/9.10.86 - Staicu Liliana, Buicescu Mircea;

- 1986 - Procedeu de nichelare chimica pentru subansamble din cupru si alama destinate dispozitivelor de microunde - 1283/9.10.1986 - Buicescu Mircea, Staicu Liliana;

- 1986 - Procedeu de micsorare a continutului de oxigen a plachetelor de siliciu monocristalin pentru tranzistoare hometaxiale - 1288/9.10.86 - Nani Gabriel, Staicu Liliana;

- 1986 - Procedeu de micsorare a numarului de defecte de retea in plachetele de siliciu pentru tranzistoare hometaxiale - 1290/15.06.86 - Nani Gabriel, Georgescu Sorin, Staicu Liliana.

Nini: Au fost si inventii?

D-na Staicu: Tot impreuna cu colegii mei de munca am realizat si cateva inventii:

- 1987 - Procedeu de realizare a diodelor Schottky pentru frevente inalte -92403/25.02.1987 - Marin Nicolae, Marchidan Florin, Taga Florin, Staicu Liliana, Cimpoca Gheorghe;

- 1996 - Procedeu de separare a isotopilor pentru elemente dopante pentru industria semiconductoare – Anizotropie-456/1996 - Mircea Fanica, Staicu Liliana.

Nini: Banuiesc ca ati publicat si articole.

D-na Staicu: Articole publicate la CAS:

1984 - Tranzistoare monodifuzate Darligton - Nani Gabriel, Staicu Liliana;

1985 - Realizarea diodelor Baritt pentru banda X - Marin Nicolae, Marchidan Florin, Staicu Liliana;

1986 - Efectele carbonului in siliciu Fz - Liliana Staicu, Mihaela Radulescu;

1987 - Studiul contactelor ohmice Ni Si depuse chimic la tranzistoare hometaxiale -Liliana Staicu, Adrian Veron, Nani Gabriel;                                     

1989 - Studiul contactelor ohmice nichel (dopat cu bor) siliciu, depus chimic la tranzistoare hometaxiale  de putere - Liliana Nedelescu (Staicu), Mihaela Radulescu, Adrian Oanea, Tudor Dunca - lucrare premiata la sectiunea poster - lucrare publicata si in revista Electrotehnica, Electronica si Automatica  din martie 1989;

2008 - Studiul TiO2 anodizat utilizat la celule solare (publicat in ianuarie 2009 in Natural Science).

Doua albume cu fotografii ocazionate de acest subiect pot fi vazute aici:

http://nini.qsl.ro/yo3ccc/Povesti%20interesante%20despre%20IPRS-Baneasa/index.html

http://nini.qsl.ro/yo3ccc/Intalnire%20intre%20fosti%20colegi%20de%20la%20IPRS-Baneasa/index.html